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Seminare 2017:
Aufbau- und Verbindungstechnik von Halbleiterbauelementen

 

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Obwohl moderne IC durch ihre immer komplexeren Designs und die fortschreitende Miniaturisierung technologisch beindrucken:

Mittlerweile gelten vor allem High-Volume Produkte wie Speicher, Prozessoren und fast alles was z.B. in einem Heimcomputer, Tablet oder Mobiltelefon steckt als Rohstoff, solange die Halbleiterbauelemente noch als „nacktes“ Silizium*** vorliegen.  Wertvoll werden sie erst nach ihrer Verarbeitung. Entweder als Einzelbauelemente in anspruchsvollen  Gehäusen oder zu den unterschiedlichsten Mikrosystemen zusammengestellt.

Die hierfür verwendeten Verfahren sollen in diesem Seminar vorgestellt und  Herausforderungen, Fehlerquellen und Zukunftsaussichten auch in Hinsicht auf die gestiegenen Anforderungen durch z.B, e-Mobilität besprochen werden.

Das ganztägige Seminar findet an zwei Samstagen statt.

Termine: 13. 5. und 20.5. 9.00-17:00 Uhr

Gebühr: gesamtes Seminar 145€, pro Einzeltermin 80 €

Inhalte:

Diskrete Bauelemente

  • Vereinzeln und Rückseitenbehandlung
  • Bonden
  • Verschliessen
  • Gehäuse-Eigenschaften
AppleMark
X-Ray: Lötung mit Fehlstellen beim hermetischen Verschluss.

Mikrosysteme

  • Trägermaterialien
  • Bestücken
  • Kleben
  • Pastentechnologien
  • Lötverfahren
  • Bare-Die Verarbeitung
  • Bonden
  • Schweissen

Zum Thema optische Komponenten und 3D-Aufbauten/MID findet eine eigene Veranstaltung statt.

Seminarleitung: Dipl. Phys. Christian Reuter

Mit mittlerweile über 30 Jahren Erfahrung in fortschrittlicher Aufbau- und Verbindungstechnik, sowohl aus Forschung und Entwicklung als auch industrieller Produktion.

***Sogenannte III/V Halbleiter wie GaAs, InP oder Heteromaterialien aus diesen Verbindungen, wie sie in Mikrowellen- und Hochfrequenztechnik, Lasern und speziellen Detektoren eingesetzt werden gelten auf Grund ihrer komplizierteren Handhabung, den geringeren Stückzahlen und deshalb höheren Preise als Sondermaterial.

 

 

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