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Dünne Schichten und Halbleiter

 

PVD

  • Aluminiumlegierungen, Wolfram, Platin, Chrom, Molybdän, Titan im Schichtdickenbereich von 10 – 5000 nm auf Silizium- und Quarzsubstraten
  • Reaktives Sputtern von Titannitrid und Chromnitrid im Bereich von 10 – 150 nm z. B. für Diffusions-Barrieren, spannungsarme Schichten als Haftvermittler oder verwölbungsfreie Lochmasken auf Silizium- und Quarzsubstraten (Anlagen: z.B. AMAT Endura/MRC 603/Leybold Z590)

CVD

  • Metallverfüllung von Vias im aspect ratio von >1:15 bis zu 30 µm Tiefe (Anlagen: z.B. AMAT Centura)

Plasma-Trockenätzprozesse

  • für elektrisch leitende Schichten:
    • Aluminiumlegierungen 500nm – 4500nm Schichtdicke; deep sub-µm (< 0.2 µm), auch grosses aspect ratio.)
    • Siliziumtiefenätzungen (bis zu 3000nm Tiefe, aspect ratio 1:6, retrograde Profile) auch auf SOI-Wafer
    • Titan, Titannitrid, Wolfram (Anlage: z.B.Omega 201-ICP, Lam Rainbow)

Ablackprozesse

  • schwer beanspruchter Resistmasken (Resiststrip nach Ionen-Implantationen) stark kontaminierter Resistmasken nach Metallätzen (Seitenwandpolymere) und Oxidätzen (via crowns, fences)

Oberfächenkonditionierung

  • Plasma- oder trockenchemische Vorbehandlungen von Oberflächen für z.B. Fügeprozesse

Fügeprozesse

  • Kleben, Löten, Bonden

Ressourcenplanung und Prozessentwicklung

  • Support bei Auswahl, Beschaffung von Anlagen
  • Installation von Fertigungsprozessen für Front- und Backend

 

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